恒流驱动芯片是LED清楚屏里蹙迫的一部分hongkongdoll 露脸，它的选型径直影响清楚成果。目下常用的驱动芯片按其架构不同可分为通用芯片、双缓存、PWM三大类。这三类IC的具体责任旨趣是什么 ？区别又是什么呢？这篇著述逐一聊聊。
先说几个见地：
①刷新：指的是一秒钟图像出现的次数，具体到单灯等于一秒钟内亮灭了些许次。刷新高拍照成果好，但一次刷新亦然一次灯珠的开关，灯珠的开关次数是会影响其寿命的。是以刷新够用就好，并不是越高越好。
②帧频：指的是一秒钟内出现了些许副图像，由于东说念主眼的视觉暂留特质，惟有一秒钟内画面变化大于24HZ，就不会感到停顿，咱们目下使用的是60HZ帧频。
③灰阶：指的是屏体从黑到最亮大约分红的亮度等第。比如一个清楚屏的亮度是16384cd/㎡，灰阶是14Bit（214即16384级）。它是将16384的亮度分红16384级，每一级的亮度是1cd/㎡。灰阶越高，每一级对应的亮度越低，清楚成果精致。
现永诀以MBI5024、ICND2038S、MBI5153为代表，先容一下通用、双缓存、PWM三大类驱动芯片的具体责任旨趣和区别。
一：通用芯片（MBI5024）图片hongkongdoll 露脸
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如图所示，16位数据信号SDI在时钟的作用下从低到高，被逐一送到16位位移缓存器中（串入）；16位数据存满后会自动同期干涉16位输出栓锁器中；通过锁存信号LE贬抑，同期输出到16位驱动器中；临了通过OE贬抑其输出（并出）。
成例芯片的灰度是通过把一帧的清楚脉冲信号平分，从而贬抑灯珠点亮时间取得。如下图是一个平分红16Bit的清楚信号脉冲波形图，灰度等第越高脉冲越宽，对应灯珠点亮的时间越久。
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趋附旨趣框图，咱们不错成就一个刷新和时钟的计划式。CLK=芯片通说念数*扫描数*刷新频率*一组数据芯片个数*换帧频率（芯片通说念数*扫描数*一组数据芯片个数，等于一组数据带点数）。
二：双缓存（ICND2038S）图片
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二：PWM（MBI5153）图片
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如上图不错看出，其责任花样和通用IC及双缓存IC有很大不不异了。数据通过数据时钟DCLK的作用传入到16位寄存器，存满后自动干涉SRAM，SRAM会将一帧时间内的所很是据先存储起来。然后通过灰度时钟GCLK合营comparators(算法电路)贬抑其输出脉宽得到具体的灰度值，径直将灰度值以16位的数据花样给到Output Buffers（输出缓冲器）输出。（通用IC的灰度不错厚实为灯珠N次亮灭得到的，这里是径直输出灰度值）。
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知说念了PWM芯片的责任旨趣后，咱们不错成就以下计划式：
①：DCLK=灰阶数据数*通说念数*扫描数*帧频*一组数据芯片个数；跟通用IC不不异的是这里多了一个灰阶数据数，从框图中不错看出输出灰阶为16的数据，是以式中灰阶数据数为16。
②：GCLK=灰阶*扫描数*帧频；一个GCLK脉宽等于一级灰阶，N个GCLK脉宽访佛等于N级灰阶。
PWM芯片不行径直将DCLK或GCLK视为通用芯片的CLK来成就与刷新计划式。PWM芯片的刷新是由灰阶决定的，它是先有灰阶再有刷新。
③：刷新=（灰阶÷打散花样）*帧频；这里的打散花样是聚合PWM芯片一种进步刷新的本领，不同PWM芯片有不同的打散花样，团结种PWM芯片在不同倍率下也有不同的打散花样。下图是MBI5153的打散花样：
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以一个灰度14Bit，32扫的清楚屏不开倍频为例：带入以上计划式可得需要的GCLK约为31MHZ，大约得到的刷新为1920HZ（本文以上所关计划式均未计划消影所需的时钟）。
LED芯片是LED居品的腹黑，主邀功能等于把电能滚动成光能，在使用历程中，led清楚屏芯片也会出现各式种种的问题，当今就让咱们一皆望望LED芯片成例会出现那六大问题吧！
01正向电压缩短、暗光（1）一种是电极与发光材料为欧姆战斗，但战斗电阻大，主要由材料衬底低浓度或电极缺损所致。
（2）一种是电极与材料为非欧姆战斗，主要发生在芯片电极制备历程中挥发第一层电极时的挤压印或夹印，散播位置。
另外封装历程中也可能形成正向压缩短，主要原因有银胶固化不充分，支架或芯片电极浑浊等形成战斗电阻大或战斗电阻不闲散。
正向压缩短的芯片在固定电压测试时，通过芯片的电流小，从而发达暗点，还有一种暗光风景是芯片自己发光效力低，正向压降平淡。
02难压焊（1）打不粘：主要因为电极名义氧化或有胶
（2）有与发光材料战斗不牢和加厚焊线层不牢，其中以加厚层零星为主。
（3）打穿电极：时常与芯片材料关联，材料脆且强度不高的材料易打穿电极，一般GAALAS材料（如高红，红外芯片）较GAP材料易打穿电极。
（4）压焊调试应从焊合温度，超声波功率，超声时间，压力，金球大小，支架定位等进行养息。
03发光颜料相反（1）团结张芯片发光颜料有光显相反主若是因为外延片材料问题，ALGAINP四元素材料罗致量子结构很薄，孕育是很难保证各区域组分一致。（组分决定禁带宽度，禁带宽度决定波长）。
（2）GAP黄绿芯片，发光波长不会有很大偏差，然而由于东说念主眼对这个波段颜料敏锐，很容易查出偏黄，偏绿。由于波长是外延片材料决定的，区域越小，出现颜料偏差见地越小，故在M／T功课中有周边及第法。
（3）GAP红色芯片有的发光颜料是偏橙黄色，这是由于其发光机理为波折跃进。受杂质浓度影响，电流密度加大时，易产生杂质能级偏移和发光饱胀，发光是开动变为橙黄色。
04闸流体效应（1）是发光二极管在平淡电压下无法导通，当电压加高到一定进度，电流产生突变。
（2）产生闸流体风景原因是发光材料外延片生万古出现了反向夹层，有此风景的LED在IF＝20MA时测试的正向压降有讳饰性，在使用历程是出于南北极电压不够大，发达为不亮，可用测试信息仪器从晶体管图示仪测试弧线，也不错通过小电流IF＝10UA下的正向压降来发现，小电流下的正向压降光显偏大，则可能是该问题所致。
05反向走电流IR在戒指条目下反向走电流为二极管的基本特质，按LED往时的成例限定，指反向电压在5V时的反向走电流。跟着发光二极管性能的进步，反向走电流会越来越小。IR越小越好，产生原因为电子的不限定出动。
（1）芯片自己品责问题原因，可能晶片自己切割很是所导致。
（2）银胶点的太多，严重时会导致短路。外延形成的反向走电主要由PN结里面结构颓势所致，芯片制作历程中侧面腐蚀不够或有银胶丝沾附在测面，严禁用有机溶液调配银胶。以防患银胶通过毛细风景爬到结区。
（3）静电击伤。外延材料，芯片制作，器件封装，测试一般5V下反向走电流为10UA，也不错固定反向电流下测试反向电压。不同类型的LED反向特质出入大：普绿，普黄芯片反向击穿可达到一百多伏，而普红芯片则在十几二十伏之间。
（4）焊线压力贬抑不妥，形成晶片内崩导致IR升高。
惩办决议
（1）银胶胶量需贬抑在晶片高度的1／3～1／2；
（2）东说念主体及机台静电量需贬抑在50V以下；
（3）焊线第少许的压力应贬抑在30～45g之间为佳。
06死灯风景（1）LED的走电流过大形成PN结失效，使LED灯点不亮，这种情况一般不会影响其他的LED灯的责任。
漫画巨乳（2）LED灯的里面连气儿引线断开hongkongdoll 露脸，形成LED无电提醒过而产死活灯，这种情况会影响其他的LED灯的平淡责任，原因是由于LED灯责任电压低（红黄橙LED责任电压1．8v－2．2v，蓝绿白LED责任电压2．8－3．2v），一般都要用串、并联来网络，来稳健不同的责任电压，串联的LED灯越多影响越大，惟有其中有一个LED灯里面连线开路，将形成该串联电路的整串LED灯不亮，可见这种情况比第一种情况要严重的多。
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